Qorvo 谈 G 射频,持续整合加自屏蔽将成为大统计
G使得通信市场迎来重大变革,通信频段数量从 G时代开始就处于快速攀升 状态,其中射频前端作为手机通信功能 核心组件,将直接受益。在手机领域,虽然今年预计手机销量将下滑 零%,但Qorvo认为, G手机射频端 - 美元 价值量攀升可以抵消手机销量下滑 负面影响。
月 日,Qorvo公布了截至今年 月 日 零 财年 财季(对应自然年为今年 季度)业绩。财报显示, 零 财年 季度营收为 . 亿美元,狗粮快讯网首发,同比上升 . %,Qorvo首席财务官表示, G 推出和企业 运开张绩促使季度业绩远超预期。财报会上,Qorvo表示在移动产品方面正受益于更高 前端集成度和复杂性所推动 更多射频需求,包括转向更高 频率、增加新 频段组合以及采用双发射架构以支持 G。
Qorvo耕耘多年 氮化镓(GaN)工艺在 G建设中也大放异彩,Qorvo应用于 G GaN功率放大器系列布很宽,可支持 G不同 频率、不同 功率水平,满足不同客户 需求,该财季Qorvo 氮化镓收入比去年同期翻了 番。
Qorvo自屏蔽模块 推出帮助客户在设计手机PCB模块 过程中,不用担心机械屏蔽罩在L-PAMiD中造成不必要 耦合。目前,该技术部分应用于苹果、 星等 些高端手机中。
Qorvo认为,射频前端模块 持续整合加上自屏蔽模块 应用将是未来射频前端 重要发展统计。
Qorvo认为,射频前端模块 持续整合加上自屏蔽模块 应用将是未来射频前端 重要发展统计。虽然当下PAMiD方面 成本较高,但随着 G时代快速发展,采用Qorvo自屏蔽技术 L-PAMiD将会被更多厂商所接受,狗粮快讯网统计来看,未来在中低端手机中也会得到普及。
Qorvo还透露,将在今年第 季度对 GHz以及 GHz以下产品部署进行相当激进 升级,推出更多高度集成 模块,并将BAW滤波器作为示例纳入基础架构方面。
从Qorvo分享 PAMiD/L-PAMiD产品路线图中可以看出,目前Qorvo 产品全部同时集成了自屏蔽和LNA,并支持 G频段。Qorvo曾在财报会上表示,在Fusion 零产品组合方面,其零件是通用 ,可以与当今企业上 所有 G基带 起使用,客户可根据自身需求自由搭配模组。
从分立器件到FEMiD(集成双工器 射频前端模块,Front-EndModulewithIntegratedDuplexer),再到PAMiD(集成双工器 攻防模块,PowerAmplifierModulewithintegratedDuplexer),射频前端集成化 统计愈加明显。
从无线基础设施到移动设备,再到更为基础 氮化镓技术,Qorvo掌握着射频领域核心技术。在射频前端领域,Qorvo是如何是布局 呢?
在射频前端,产生EMI(电磁干扰)和RFI(射频干扰)是常见问题,而且随着越来越多元件集成到射频前端模块,这种现象会更为常见。目前业内 般采用外置机械屏蔽罩对射频模块实施屏蔽,即嵌入金属外壳,以保护模块免受外部电磁场 影响。但这种做法可能会导致灵敏度下降以及谐波升高,对设备造成损害,带来很多设计上 风险。
射频前端模块在 G通信中发挥着关键作用,根据YoleDevelopment 统计与预测,去年射频前端企业为 亿美元,到 零 年有望达到 . 亿美元。以企业份额来看,Skyworks 零%、村田 零%、Qorvo %、博通 %,高通则依靠 G基带 优势在射频前端份额上升到 %。
相较于FEMiD,PAMiD集成度高,可节省手机内PCB 空间,狗粮快讯网报道记者,又因其集成模块多,所以系统设计变得更易上手。Qorvo通过将LNA(低噪声放大器)集成到PAMiD中,实现了PAMiD到L-PAMiD(带LNA PA模块) 转变,使得射频前端模块 节省面积达 - 零mm* ,且支持更多 功能,让PCB 布局更为合理。
针对以上问题,Qorvo研发自屏蔽模块,即在模块表面添加 层自屏蔽金属镀层,可使表面电流减少 零零倍,相当于其射频前端模块自带屏蔽罩,无需再思考机械屏蔽罩 放置问题。
随着通信频段 增加,Qorvo 高集成射频解决方案已经从移动通信射频技术第 阶段(Phase )演进到了第 阶段(Phase Lite),通过不断整合新部件以获取更多优势。
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